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    Intel美光首试产25nm制造工艺3bpc闪存

    2010-09-28 12:19 作者:admin 来源:admin 浏览次数:

    Intel和美光公司今天共同宣布,已经成功应用25nm工艺,试产出3bpc(3-bit-per-cell)闪存。继今年上半年开始量产25nm MLC闪存后,Intel美光的低端闪存产品线再一次领先行业制程标准。

      3bpc闪存又称TLC闪存,相比SLC每个存储单元只能保存1bit数据,MLC闪存保存2bit数据,3bpc/TLC闪存的每个存储单元(Cell)可保存3bit数据。即使用更少的存储单元实现更大容量,主要面向闪存盘、存储卡或其他消费电子设备。

      新的25nm 3bpc闪存由Intel美光合资公司IM Flash Technologies研发,容量为64Gb,即可用一颗闪存颗粒制造8GB容量U盘、存储卡。相比25nm MLC闪存,相同容量的3bpc闪存尺寸缩小20%,成本更加低廉。其核心面积仅为131平方毫米,采用业界标准TSOP封装。

      Intel/美光25nm 3bpc闪存将于今年年底实现量产。由于性能和寿命不及MLC/SLC,3bpc闪存通常不会用于固态硬盘。但SandForce控制器方案的特殊长寿命技术已经宣称可以使用3bpc/TLC闪存,未来如果出现SF-1000系列控制器加Intel/美光25nm 3bpc闪存配置的固态硬盘产品,将有望进一步降低SSD价格水平。

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